В 2017 году Qualcomm собирается изменить обычный порядок нумерации своих процессоров и выпустить сразу Snapdragon 835 вместо Snapdragon 830, как предполагалось ранее.
Не исключено, что Snapdragon 830 также будет выпущен, но как младшая версия флагмана и с рядом даунгрейдов.
У Snapdragon 820 такое тоже было, но не афишировалось: первым в продажу поступила модификация чипа MSM8996 Lite с пониженной до 1800МГц частотой ядер верхнего кластера, а следом за ней уже был выпущен полноценный Snapdragon 820 MSM8996 с частотой 2,15ГГц.
Различия также коснулись частоты графического сопроцессора и шины памяти LPDDR4, которая в Lite версии была понижена до 1333МГц. На облегчённом 820-м вышли первые партии Xiaomi Mi5 и народ с удовольствием разобрал их, даже не вникая в столь тонкие детали. Что удивительно, Snapdragon 821 также есть в двух версиях с разными топовыми частотами и, например, Xiaomi Mi5S работает на облегчённом Snap821, а Mi5S Plus — на нормальном, с частотой верхнего кластера 2,34ГГц.
Технические характеристики процессора Snapdragon 835
код модели MSM8998
техпроцесс 10нм Samsung FinFET
ядра Qualcomm Kryo 280, состав: 4 ядра до 2,45ГГц + 4 ядра до 1,9 ГГц
память LPDDR4X 1866МГц, двухканальная
GPU Adreno 540, поддержка DirectX 12, OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0 Full, Vulkan API, частота 710МГц
Сигнальный процессор Hexagon 682 DSP с технологией All-Ways Aware
Image-процессор Spectra 180 ISP (2 ISP), 14-битный, поддержка двойной камеры по 16МП или одиночной на 32МП. Гибридный автофокус, оптический зум, распознавание лиц, запись HDR видео
запись видео до 4К на 30FPS, вопроизведение до 4К 60FPS, поддержка кодеков H.264, H.265 и VP9
поддержка разрешения экрана устройства до 4К, внешнего дисплея — также до 4К, 60FPS, глубина цвета 10 бит
формат внутренней памяти — UFS2.1 Gear3 2L, поддержка карт памяти формата SD 3.0 (UHS-I)
модем Qualcomm X16 LTE — категории LTE cat.16 / cat.13. Скачивание с агрегацией частот 4х20МГц, пиковая скорость 1Гбит/с. Аплоад с агрегацией частот 2х20МГц, скорость до 150Мбит/с, поддержка VoLTE, Ultra HD Voice (EVS), CSFB to 3G и 2G, дополнительный чип Qualcomm RF360 для распознавания редких операторских частот
Стандарты Wi-Fi 802.11ad, 802.11ac Wave 2, 802.11n, 802.11a/b/g, частоты 2,4ГГц, 5ГГц, 60ГГц, пиковая скорость 867Мбит/с, конфигурация MIMO 2×2 (2 потока)
Bluetooth 5.0
поддержка систем геопозиционирования GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
Система безопасности Qualcomm Heaven Security
Технология зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, позволяющая зарядить батарею до 50% всего за 15 минут
Сниженный нагрев в связи с переходом на более тонкий техпроцесс и понижением общего энергопотребления, полное отсутствие троттлинга
Производительность по тесту Антуту — 181118 балла (скрины ниже)
Цена высокая, класс устройств на процессоре Snapdragon 835 — топовые флагманы 2017 года
Qualcomm Snapdragon 835 описание и обзор
Процессор в итоге получился 8-ядерный, хотя ранее ходили слухи, что Qualcomm может оставить топовое решение на прежнем уровне технологий, что и Snapdragon 820, то есть с 4 ядрами в двух кластерах по два. Переход на более тонкий техпроцесс с одновременным повышением частоты обоих кластеров должен сыграть значимую роль в увеличении производительности и этого хватит для успешной конкуренции в 2017 году. Изменения в большей степени коснутся внутренней архитектуры чипа и особенностей его составляющих.
Техпроцесс 10нм
Более тонкий техпроцесс — это проектные нормы 10нм, достигнутые на фабриках Samsung. Почему Qualcomm вдруг изменил давнему партнёру TSMC и переметнулся к Самсунгу — не совсем понятно: Тайваньский TSMC уже тестирует переход на 10нм на новой фабрике Fab15b на Тайване и уже получил несколько заказов, но, судя по всему, не получит главный заказ 2017 года от Qualcomm. Почему повезло Самсунгу? Видимо, благодаря успехам его последнего чипа Exynos 8890 с ядрами M1, который показывал производительность, близкую к Snapdragon 820. Плюс у Самсунга плохо идут дела после провала Galaxy Note 7 и он готов идти на серьёзные уступки в переговорах. Поэтому новый процессор куалком будет выполнен на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, что позволит увеличить эффективную площадь поверхности на 30%, производительность на 27%, а энергопотребление снизить на целых 40%!
С высокой вероятностью первые партии процессоров будут использовать техпроцесс 10nm LPE — Early Edition, и только спустя полгода, когда микроэлектронное производство Samsung наберётся опыта производства на новом техпроцессе, произойдёт переход на 10nm LPP — Performance edition, который будет более эффективным и производительным. Он уже будет реализован в новом поколении процессоров или на апгрейде 835-го снапдрагона.
Qualcomm Snapdragon 835 оснащён графическим чипом Adreno 540, лишь на один шаг превосходящим прошлогодний Adreno 530, использованный в Snapdragon 820 и Snapdragon 821. Структура графики Adreno сильно отличается от GPU Mali или PowerVR и вместо нескольких выделенных ядер имеет большое число ALU — арифметико-логических единиц, обрабатывающих графику. Актуальный GPU Adreno 530 имеет 256 ALU, суммарная производительность которых достигает 500 ГигаФлопс. Для сравнения, Mali T880 имеет производительность 30,6 Гигафлопс на ядро, то есть в максимальной конфигурации с 12 ядрами имеет производительность около 370 GFLOPS. В новом Adreno 540 частота ядер будет установлена на уровне 670МГц, а сам сопроцессор будет обладать поддержкой всех вышедших технологий (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API 1.0, Direct3D 12.1), при этом нас ждёт точно такой же тонкий 10нм техпроцесс и пониженное энергопотребление, как и у вычислительных ядер.
Также новый чип перейдёт и на новую технологию памяти LPDDR4X. Параметры новой памяти пока достоверно неизвестны. Можно предположить, что она будет работать на шине 2000МГц или 2133МГц и иметь пропускную способность 32 Гигабит/с или 34,1Гбит/с соответственно. Разрядность шины, скорее всего, останется прежней и будет четырёхканальной 16-битной, то есть в сумме 64-битной.
Модем Qualcomm X16
Важные перемены произойдут с модемом флагманского чипа. Qualcomm X12, работавший с LTE Cat.12, уже неактуален, так как реализован у большинства конкурентов в их флагманских решениях 2016 года: Exynos 8890, Kirin 960 и ожидаемый в конце 2016 / начале 2017 Helio X30 от Медиатек. Нужно переходить к более высоким скоростям и поэтому в Snapdragon 835 будет реализован новый модем Qualcomm X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 980Мбит/с. Увы, полноценная поддержка таких сетей в России появится очень нескоро и оценить всю прелесть их работы можно будет разве что в тестовых лабораториях связи где-нибудь в наукоградах. Зато, благодаря поддержке большего числа диапазонов, скорость обычного 4G LTE может стабилизироваться и приблизиться к своей пиковой отметке в данном регионе. Для Москвы, Санкт-Петербурга и ряде крупных городов это 300Мбит/с, для большинства населённых пунктов в регионах — 150Мбит/с.
DSP Qualcomm Hexagon
Обновился и Цифровой сигнальный процессор, в чипе реализована его новая версия Hexagon 682. Он получил некоторое обновление своих функций и повысил рабочую частоту до 600МГц на поток. При сохранении четырёх потоков получим рабочую частоту 2400Мгц. DSP Hexagon — это третье специализированное устройство на плате чипа Qualcomm после CPU и GPU. Он отвечает за обработку изображений и видео в реальном времени, машинное обучение и распознавание голоса. Эти задачи почти полностью перекладываются на энергоэффективный DSP, высвобождая процессорное время и значительно сокращая энергопотребление смартфона.
Быстрая зарядка Qualcomm QuickCharge 4.0 и её особенности
Важное дополнение, о котором говорили на презентации 17 ноября 2016 — это новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, который позволит зарядить батарею до 50% ёмкости за 15 минут, а за пять минут даст столько махов, что их хватит на пять часов работы смартфона.
Однако, QuickCharge 4.0 это не только выше скорость заряда, это ещё и ряд полезных технологий и их улучшений с прошлой версии
технология AICL — Automatic Input Current Limit — автоматическое ограничение входящего тока
технология APSD — Automatic Power Source Detection — автоматическое определение источника питания
технология HVDCP++ — High Voltage Dedicated Charging Port — выделенный порт для зарядки с повышенной мощностью
технология Dual Charge++ — технология параллельной зарядки. Процесс зарядки ускорен на 20%, его эффективность повысилась на 30%, температура снижена на 5 °C в сравнении с Dual Charge+ из Quick Charge 3.0
технология INOV 3.0 — Intelligent Negotiation for Optimum Voltage — умная регулировка оптимального напряжения заряда, третье поколение
Battery saver technologies 2.0 — второе поколение технологии, направленной на сохранение ёмкости и работоспособности батареи
USB-PD Support — соответствие стандарту USB-Power Delivery, строго рекомендованному гуглом для всех устройств на Android 7.0
Qualcomm Quick Charge 4.0 получился безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты. Технология имеет три уровня борьбы с подачей слишком большого напряжения и силы тока, а также четыре уровнями проверки температуры, а встроенная система проверки качества кабеля просто не даст устройству заряжаться в случае плохого соединения!
Snapdragon 835 производительность в тестах AnTuTu и GeekBench
С выходом первых реальных устройств на Snapdragon 835 vs получили и первые реальные тесты производительности чипа. Представленные до официального релиза скрины не вызывали большого доверия, поэтому мы размещаем только показатели известных и общепризнанных моделей.
Результат Qualcomm Snapdragon 835 на смартфоне Xiaomi Mi6 в antutu — 181118 балла.
В видеообзоре Xiaomi Mi6, сделанном в официальном магазине Сяоми, получены результаты теста GeekBench 4: 2028 баллов в одноядерном тестировании и 5810 баллов в многоядерном.
Результаты высокие, но не топовые на рынке.
Приведём сравнительную таблицу с результатами тестов Geekbench наиболее популярных смартфонов 2016 года:
Смартфон Realme на базе 5-nm SD875 станет частью новой линейки
Мы думали, что Huawei станет первой компанией, которая представит 5-nm чипсет для мобильных устройств. Однако со многими сообщениями, предполагающими задержку серии Mate 40 на базе 5-nm Kirin 9000, Apple взяла на себя инициативу, […]
Qualcomm анонсирует Snapdragon 732G: 730G получает ускорение
Сегодня Qualcomm объявляет об обновлении своей платформы Snapdragon 730G, представляя Snapdragon 732G с более высокой производительностью. Новый чип дает платформе небольшое повышение тактовой частоты CPU и GPU, а также будет […]
Qualcomm и MediaTek запускают чипы 5G по цене ниже 20 долларов
По состоянию на начало прошлого года, когда 5G впервые стала коммерческой, у нас были только флагманские смартфоны 5G. Эти устройства в большинстве случаев поставлялись по цене выше 700 долларов. Однако, поскольку производители […]
Игровые смартфоны в 2021 году получат Snapdragon 875 и 100W зарядки
Известный китайский инсайдер по прозвищу Digital Chat Station в социальной сети Weibo сообщил о новых подробностях чипа Qualcomm Snapdragon 875 SoC и грядущих игровых смартфонах, которые будут основаны на нем. Просто отметьте, что […]
Флагманские смартфоны на Snapdragon 875 будут дороже
Одним из крупнейших производителей мобильных чипов является Qualcomm. И большинство производителей Android-смартфонов используют чипсеты Snapdragon из-за своей положительной репутации. Snapdragon 800 Series обеспечивает лучшую […]
Qualcomm представляет первую мобильную платформу Snapdragon 690 5G
Модем радиочастотная система Qualcomm® Snapdragon™ X51 5G сочетает в себе скорость и мощность с энергоэффективностью, обеспечивая надежную и превосходную связь. Поддержка глобальных диапазонов, SA и NSA, а также глобальная […]
Snapdragon 865: самая мощная платформа Android в 2020 году
Очень ожидаемый в 2020 году «первый флагман» - серия Xiaomi Mi 10 официально вышла 13 февраля. Будучи «мозгом» серии Xiaomi Mi 10, Snapdragon 865 является едва ли не лучшим в лагере Android в 2020 году.
Сравнение […]
Мобильная платформа Snapdragon 460
Мобильная платформа Qualcomm® Snapdragon ™ 460 обеспечивает впечатляющие мобильные возможности с гигантским скачком производительности, первоклассным ИИ и функциональными возможностями камеры.
Это наша первая мобильная платформа […]
Snapdragon 835 обзор, технические характеристики
08.04.2018
IT технологии, Qualcomm®, Snapdragon 835, Процессоры
Комментарии к записи Snapdragon 835 обзор, технические характеристики отключены
admin
Qualcomm Snapdragon 835
В 2017 году Qualcomm собирается изменить обычный порядок нумерации своих процессоров и выпустить сразу Snapdragon 835 вместо Snapdragon 830, как предполагалось ранее.
Не исключено, что Snapdragon 830 также будет выпущен, но как младшая версия флагмана и с рядом даунгрейдов.
У Snapdragon 820 такое тоже было, но не афишировалось: первым в продажу поступила модификация чипа MSM8996 Lite с пониженной до 1800МГц частотой ядер верхнего кластера, а следом за ней уже был выпущен полноценный Snapdragon 820 MSM8996 с частотой 2,15ГГц.
Различия также коснулись частоты графического сопроцессора и шины памяти LPDDR4, которая в Lite версии была понижена до 1333МГц. На облегчённом 820-м вышли первые партии Xiaomi Mi5 и народ с удовольствием разобрал их, даже не вникая в столь тонкие детали. Что удивительно, Snapdragon 821 также есть в двух версиях с разными топовыми частотами и, например, Xiaomi Mi5S работает на облегчённом Snap821, а Mi5S Plus — на нормальном, с частотой верхнего кластера 2,34ГГц.
Технические характеристики процессора Snapdragon 835
Qualcomm Snapdragon 835 описание и обзор
Процессор в итоге получился 8-ядерный, хотя ранее ходили слухи, что Qualcomm может оставить топовое решение на прежнем уровне технологий, что и Snapdragon 820, то есть с 4 ядрами в двух кластерах по два. Переход на более тонкий техпроцесс с одновременным повышением частоты обоих кластеров должен сыграть значимую роль в увеличении производительности и этого хватит для успешной конкуренции в 2017 году. Изменения в большей степени коснутся внутренней архитектуры чипа и особенностей его составляющих.
Техпроцесс 10нм
Более тонкий техпроцесс — это проектные нормы 10нм, достигнутые на фабриках Samsung. Почему Qualcomm вдруг изменил давнему партнёру TSMC и переметнулся к Самсунгу — не совсем понятно: Тайваньский TSMC уже тестирует переход на 10нм на новой фабрике Fab15b на Тайване и уже получил несколько заказов, но, судя по всему, не получит главный заказ 2017 года от Qualcomm. Почему повезло Самсунгу? Видимо, благодаря успехам его последнего чипа Exynos 8890 с ядрами M1, который показывал производительность, близкую к Snapdragon 820. Плюс у Самсунга плохо идут дела после провала Galaxy Note 7 и он готов идти на серьёзные уступки в переговорах. Поэтому новый процессор куалком будет выполнен на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, что позволит увеличить эффективную площадь поверхности на 30%, производительность на 27%, а энергопотребление снизить на целых 40%!
С высокой вероятностью первые партии процессоров будут использовать техпроцесс 10nm LPE — Early Edition, и только спустя полгода, когда микроэлектронное производство Samsung наберётся опыта производства на новом техпроцессе, произойдёт переход на 10nm LPP — Performance edition, который будет более эффективным и производительным. Он уже будет реализован в новом поколении процессоров или на апгрейде 835-го снапдрагона.
Графический сопроцессор Adreno 540
Qualcomm Snapdragon 835 оснащён графическим чипом Adreno 540, лишь на один шаг превосходящим прошлогодний Adreno 530, использованный в Snapdragon 820 и Snapdragon 821. Структура графики Adreno сильно отличается от GPU Mali или PowerVR и вместо нескольких выделенных ядер имеет большое число ALU — арифметико-логических единиц, обрабатывающих графику. Актуальный GPU Adreno 530 имеет 256 ALU, суммарная производительность которых достигает 500 ГигаФлопс. Для сравнения, Mali T880 имеет производительность 30,6 Гигафлопс на ядро, то есть в максимальной конфигурации с 12 ядрами имеет производительность около 370 GFLOPS. В новом Adreno 540 частота ядер будет установлена на уровне 670МГц, а сам сопроцессор будет обладать поддержкой всех вышедших технологий (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API 1.0, Direct3D 12.1), при этом нас ждёт точно такой же тонкий 10нм техпроцесс и пониженное энергопотребление, как и у вычислительных ядер.
Также новый чип перейдёт и на новую технологию памяти LPDDR4X. Параметры новой памяти пока достоверно неизвестны. Можно предположить, что она будет работать на шине 2000МГц или 2133МГц и иметь пропускную способность 32 Гигабит/с или 34,1Гбит/с соответственно. Разрядность шины, скорее всего, останется прежней и будет четырёхканальной 16-битной, то есть в сумме 64-битной.
Модем Qualcomm X16
Важные перемены произойдут с модемом флагманского чипа. Qualcomm X12, работавший с LTE Cat.12, уже неактуален, так как реализован у большинства конкурентов в их флагманских решениях 2016 года: Exynos 8890, Kirin 960 и ожидаемый в конце 2016 / начале 2017 Helio X30 от Медиатек. Нужно переходить к более высоким скоростям и поэтому в Snapdragon 835 будет реализован новый модем Qualcomm X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 980Мбит/с. Увы, полноценная поддержка таких сетей в России появится очень нескоро и оценить всю прелесть их работы можно будет разве что в тестовых лабораториях связи где-нибудь в наукоградах. Зато, благодаря поддержке большего числа диапазонов, скорость обычного 4G LTE может стабилизироваться и приблизиться к своей пиковой отметке в данном регионе. Для Москвы, Санкт-Петербурга и ряде крупных городов это 300Мбит/с, для большинства населённых пунктов в регионах — 150Мбит/с.
DSP Qualcomm Hexagon
Обновился и Цифровой сигнальный процессор, в чипе реализована его новая версия Hexagon 682. Он получил некоторое обновление своих функций и повысил рабочую частоту до 600МГц на поток. При сохранении четырёх потоков получим рабочую частоту 2400Мгц. DSP Hexagon — это третье специализированное устройство на плате чипа Qualcomm после CPU и GPU. Он отвечает за обработку изображений и видео в реальном времени, машинное обучение и распознавание голоса. Эти задачи почти полностью перекладываются на энергоэффективный DSP, высвобождая процессорное время и значительно сокращая энергопотребление смартфона.
Быстрая зарядка Qualcomm QuickCharge 4.0 и её особенности
Важное дополнение, о котором говорили на презентации 17 ноября 2016 — это новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, который позволит зарядить батарею до 50% ёмкости за 15 минут, а за пять минут даст столько махов, что их хватит на пять часов работы смартфона.
Однако, QuickCharge 4.0 это не только выше скорость заряда, это ещё и ряд полезных технологий и их улучшений с прошлой версии
Qualcomm Quick Charge 4.0 получился безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты. Технология имеет три уровня борьбы с подачей слишком большого напряжения и силы тока, а также четыре уровнями проверки температуры, а встроенная система проверки качества кабеля просто не даст устройству заряжаться в случае плохого соединения!
Snapdragon 835 производительность в тестах AnTuTu и GeekBench
С выходом первых реальных устройств на Snapdragon 835 vs получили и первые реальные тесты производительности чипа. Представленные до официального релиза скрины не вызывали большого доверия, поэтому мы размещаем только показатели известных и общепризнанных моделей.
Результат Qualcomm Snapdragon 835 на смартфоне Xiaomi Mi6 в antutu — 181118 балла.
Другие рекорды производительности:
В видеообзоре Xiaomi Mi6, сделанном в официальном магазине Сяоми, получены результаты теста GeekBench 4: 2028 баллов в одноядерном тестировании и 5810 баллов в многоядерном.
Результаты высокие, но не топовые на рынке.
Приведём сравнительную таблицу с результатами тестов Geekbench наиболее популярных смартфонов 2016 года:
Смартфон,
процессор
Многоядерный
тест
Какие смартфоны уже вышли на новом процессоре Qualcomm и ещё планируются к выходу?
Snapdragon 835 игровые возможности на примере Xiaomi Mi6
Источник: stevsky.ru
Статьи по теме:
Qualcomm®Snapdragon 835